第57章 700纳米(1/2)
在各种科研活动中，像比长仪这样的高精度测量仪器是必不可少的，又比如雷射干涉仪，这是光刻机研发所需的基础工具，所以他们研究所一开始就设立了研发各种测量仪器的实验室，几年下来成果斐然。
如今，他们的测量仪器不仅自己用，还提供给了很多科研单位，帮了兄弟单位不少忙。
而测量型比长仪，跟投影式光刻机是同一时间立的项，历经两年，在去年年底才完成了研发工作。
值得一提的是，比长仪也分不同类型的，早期的是传统光学比长仪，但其高度依赖人工操作，测量精度还是微米级别，显然不可能测量亚微米级别的尺寸。
于是立项之初，徐卫国就直接瞄准了更先进的雷射比长仪，其测量精度可达纳米级。
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只是，这项技术是要以雷射干涉仪技术为前提的，而立项之初，雷射干涉仪还没搞出来呢！
徐卫国只能一边指导团队成员先进行预研，攻克一些边缘性的技术，一边亲自下场加快雷射干涉仪的研发。
直到一年半前雷射干涉仪搞出来，雷射比长仪的研发才进入快车道。
但即使如此，研发过程也很艰难，在徐卫国的帮助下还是花了这麽久，其复杂度可见一斑。
徐卫国拿着新鲜出炉的集成电路，交给了雷射比长仪的操作员。
操作员接过来，将其固定在比长仪的精密移动工作台上。
随后，使用光电显微镜进行自动瞄准，接着调节光路。
然后操作员需要根据实测的环境温度丶气压丶湿度手动计算进行空气折射率补偿，最后启动伺服电机，使其平稳的移动工作台。
过了不久，测量结果出来了，直接显示在旁边的一台计算机上。
徐卫国立刻走上前，观看结果。
0.7微米！
也就是700纳米。
徐卫国松了口气，跟设计指标一致。
当然，这还远没有达到步进式光刻机的性能极限，限制因素就是他们的精密加工技术水平不够。
这个没办法，精密加工技术不是懂一些知识就能提高的，必须得在实践中慢慢积累，一点点提升。
不过，需求本来就是技术进步最好的催化剂，只要持续不断的投入尝试，总会慢慢往前走的。
700纳米特徵尺寸，这比上一代集成电路又前进了一大步！不，是往前飞了一大段。
单个电子元器件会缩小很多，允许他们将集成电路设计的更加密集紧凑，理论上说，他们已经可以制造出包含几万乃至十几万个电子元器件的超大规模集成电路。
但是，其实是没那麽简单的。
问题不在加工水平，而在设计。
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